迅速发展的射频集成电路为从事各类无线通信的工程技术人员提供了广阔的前景。但同时,射频电路的设计要求设计者具有一定的实践经验和工程设计能力。电子产品高性能和高可靠性设计的设计趋势，使得开发者对电路保护与电磁兼容设计技术的要求不断提升。在集成电路制造过程中，静电放电是众多可靠性问题中最重要的一项。随着集成电路尺寸的日益缩小和工作频繁的快速增加，对于射频集成电路的静电放电保护设计是CMOS工艺下射频集成电路应用的关键性问题。射频集成电路的每个射频端口都需要ESD保护电路。本篇硕凯电子就为各位工程师分享射频防护方案设计时，工程师在选择电路保护器件时的注意事项。

一、应用背景

1．全球气候变暖，雷雨天气增多

2．射频很多置在室外，易受雷击

3．传输速率高达1Gbps，结电容要求高

4．高浪涌防护的安防设备成为趋势

二、防护方案与硕凯器件

GDT【UN2E5-90LSMD】直流标称电压：90±20%V，冲击电流（8/20μS）：5kA，电容值＜1.0pF，电阻值＞1GΩ；

瞬态抑制二极管（TVS）

TVS【ESD03V32D-LC】Vrwm：3.0V；Vb：4.0V；防静电能力（接触/空气）：8KV/15KV；结电容（f=1MHz）：1.2pF；封装为SOT-323

三、方案应用

1．医疗器械

2．视频监控

3．光发射机

4．其他射频设备

四、方案说明与注意事项

1．本方案前端采用一颗GDT，并联与信号线与地线之间，泄放大电流

2．后端的T VS结电容为1. 2pF，不影响数据传输；

3．封装为SOD- 323，体积小，节约成本；残压低，有效保护射频芯片

4．本方案满足I EC61000- 4- 5、GBT17626. 5等浪涌标准

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