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小体积、低电容的硕凯ESD器件为高速I/O接口提供保护

作者:硕凯电子   文章来源:硕凯电子   发布时间:2018-04-12 09:38:42

便携设备的持续小型化与功能提升相结合,使得系统需要更强有力的保护以免受ESD事件引起的损坏。ESD瞬态事件可能破坏设备的运行或者导致潜在的损害和安全问题。小体积、低电容的硕凯ESD器件提供了一种简单的、高性价比成本效益的解决方案。


智能手机的广泛兴起和其种类繁多的应用、更快的网络速度、以及更加实惠的数据计划现已经使移动社交网络比桌面社交网络更加流行。同时,许多便携设备已经演变成小型多功能性的计算设备,已经能够执行非常多样化的任务。


为满足日益复杂的移动用户的需求,便携设备的设计导致更多的输入/输出(I/O)互连的集成。更高的电流密度、更小的晶体管几何形状、以及有限的用于芯片保护的可用空间都将导致增加电子元件对诸如静电放电(ESD)等瞬态电气过载事件的敏感性。对于这些有高数据流的应用,减少这些瞬态情况的事件的影响以防止现场输入和设备输出的数据损坏是一种重要的设计考量。


传统上的ESD保护一般有各种齐纳二极管、金属氧化物可变电阻(MOV)和瞬态电压抑制二极管(TVS)。然而,由于USB3.0、HDMI 1.3/1.4、eSATA接口、Display Port和数字视频接口(DVI)的高数据传输速率,传统保护器件的寄生阻抗可能会扭曲和恶化信号的完整性。

最新一代的硅ESD保护器件可在空间受限的便携式电子产品和手机中提供一种合适的ESD保护解决方案,可以帮助设备通过IEC61000-4–2的第4级测试。这些器件较前一代元件小大约70%。其低电容、低插损和高线性度的电容与频率比,也有利于最大限度地减少信号衰减。


随着笔记本电脑、手机和其他移动设备越来越广泛的应用,用户在电缆连接和断开时将有更大可能触摸到I / O连接器的引脚。在正常工作条件下,触摸一个暴露的端口或接口,可以导致超过30kV以上静电的放电。

小尺寸的半导体器件由于不能承受过高的电压、过高电流或者是两者的结合而被损坏,过高的电压可能会导致栅氧化层被击穿,而过高的电流会造成接合点发生故障和金属连线熔化。


小体积、低电容的硕凯ESD器件为高速I/O接口提供保护,满足抵御最低8kV的接触放电或者15kV的空气放电,转移具有潜在破坏性的电荷,使其远离敏感的电路,并帮助保护系统免于故障。小体积可方便地放置到印刷电路板上又能保证接口信号不被衰减。


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