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半导体放电管的选型与特性

作者:硕凯电子   文章来源:硕凯电子   发布时间:2018-02-06 09:34:38

半导体放电管Vdrw>电路上的工作电压

1、最大瞬间峰值电流IPP必须大于通讯设备标准的规定值。

2、转折电压VBO必须小于被保护电路所允许的最大瞬间峰值电压。

3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。

4、反向击穿电压VBR必须大于被保护电路的最大工作电压。如在POTS应用中,最大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,最大DC电压(150V)和最大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。

5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH必须大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。

半导体固体放电管特性参数:

①断态电压 VRM 与漏电流 IRM:断态电压 VRM 表示半导体过压保护器 不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。

②击穿电压 VBR:通过规定的测试电流 IR(一般为 1mA)时的电压, 这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。

③转折电压 VBO 与转折电流 IBO:当电压升高达到转折电压 VBO时,半导体过压保护器完全导通,呈现很小的阻抗, 两端电压 VT 立即下降到一个很低的数值 (一般为 5V 左右) 。

④峰值脉冲电流 IPP:半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。

⑤维持电流 IH:半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。 一旦流过它的电流小于维持电流 IH,它就恢复到截止状态。

⑥静态电容 C:半导体过压保护器在静态时的电容值。

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